パワーデバイス編
1.整流ダイオード
2.SBD
3.FRD
4.SiC-SBD
5.バイポーラパワートランジスタ
6.低耐圧パワーMOSFET
7.高耐圧パワーMOSFET
8.IGBTディスクリート
9.SiC-FETディスクリート
10.GaNパワーデバイス
11.サイリスタ・トライアック
12.IGBTモジュール
13.IPM
14.ダイオード/サイリスタモジュール
15.SiCパワーモジュール
16.酸化ガリウムパワーデバイス
17.ダイヤモンドパワーデバイス
構成部材編
18.シリコンウェーハ
19.SiCウェーハ
20.GaNウェーハ
21.酸化ガリウムウェーハ
22.ダイヤモンドウェーハ
23.窒化アルミニウムウェーハ
24.二酸化ゲルマニウムウェーハ
25.半導体レジスト
26.バッファーコート膜
27.CMPパッド
28.CMPスラリー
29.ダイボンディングペースト
30.はんだ
31.シンタリング接合材
32.ボンディングワイヤ
33.封止材料
34.窒化アルミニウム回路基板
35.アルミナ系回路基板
36.窒化ケイ素回路基板・白板
37.金属放熱基板
製造装置編
38.エピ膜成長装置 ※
39.グラインダ ※
40.コータ/デベロッパ
41.露光装置
42.イオン注入装置 ※
43.熱処理装置
44.レーザーアニール装置
45.ドライエッチング装置 ※
46.スパッタリング装置 ※
47.洗浄装置
48.ダイシング装置 ※
49.ダイボンダ
50.加圧シンタリング装置
51.ワイヤボンダ
52.モールティング装置
53.ウェーハ外観検査装置 ※
54.電気テスタ装置
※SiC/GaNパワーデバイス向けを対象
※調査過程で変更となる可能性がございます。
予約受付中
2027年版 次世代パワーデバイス関連市場の現状と将来展望
市場のけん引役はEV関連からデータセンター関連のアプリケーションに移りました。また、送電インフラ向けの高耐圧パワーデバイスの需要も増加する見込みです。成長が鈍化しているEVですが、ガソリン価格の高騰により再注目されており、パワーデバイス市場のさらなる成長が示唆されています。本調査では、パワーデバイス、構成部材、製造装置の市場動向技術開発動向などを明らかにします。また、EV、データセンター、送電インフラなど今後市場をけん引する成長アプリケーションの方向性を明確化します。
- 商品コード:112609810
| 発刊日 | 2027年02月18日 |
|---|---|
| 価格 | 198,000円(税込) |
| レポート種別 | 市場調査資料 |
| 体裁 | 書籍版/A4 |
| 発刊元 | 富士経済 |
調査対象
提供利用形態(料金)
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商品形態 |
ネットワーク |
価格(税込み)下段:本体価格 |
選択 |
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書籍版 |
ー |
198,000円 180,000円 |
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書籍/PDF版セット レポート本文(PDFファイル)をCD-ROMで提供します。 |
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231,000円 210,000円 |
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書籍/PDF+データ版セット(全体編) レポート本文(PDFファイル)と数表データ(Excelファイル)をCD-ROMで提供します。 |
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253,000円 230,000円 |
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ネットワークパッケージ版(ダウンロード) レポート本文(PDFファイル)と数表データ(Excelファイル)を提供します。 |
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396,000円 360,000円 |
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ネットワークパッケージ版(CD-ROM) レポート本文(PDFファイル)をCD-ROMで提供します。 |
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396,000円 360,000円 |
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オプション選択
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電子書籍 単体購入はできません。書籍版、PDF版、PDF+データ版、およびこれらセットのオプションになります。追加購入をご希望の場合は別途お問い合わせください。 |
クラウド共有 |
33,000円 30,000円 |
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