電子機器・電子部品

2026年版中国パワーデバイス関連市場の現状と将来展望

パワーデバイス市場では、中国市場が全体の約半数を占めており、BEVなどのアプリケーション市場の成長を受けて、今後も成長する見込みです。中国政府の国産部品を推奨する政策により、中国デバイスメーカーがシェアを獲得しています。また、新興の中国デバイスメーカーが老舗メーカーのシェアを奪うなど世界市場とは異なるシェア構造を形成していると予測されます。本調査では、中国における、主要パワーデバイスおよびSiCウェーハ/エピ膜成長装置の市場規模推移やメーカーシェアを明らかにすることを目的に実施します。

商品コード：112604928

発刊日	2026年06月05日
価格	330,000円（税込）
レポート種別	デジタルプレス
体裁	CD-ROM版/A4/58P
調査期間	2026年4月～2026年6月
発刊元	富士経済

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調査ポイント

パワーデバイスの主戦場となる中国の最新市場動向、企業動向、今後の方向性を把握
中国現地メーカーの実績拡大が著しいSiCウェーハ、SiC用エピ膜成長装置の市場動向・企業動向を把握

調査対象

■パワーデバイスメーカー
サンケン電気、三社電機製作所、新電元工業、東芝デバイス＆ストレージ、ミネベアパワーデバイス、富士電機、三菱電機、ルネサスエレクトロニクス、ローム、Alpha and Omega Semiconductor、BYD Semiconductor、China Resources Microelectronics、CRRC Times Semiconductor、Infineon Technologies、Innoscience、JieJie Microelectronics、Littelfuse、Nexperia、Onsemi、Semikron Danfoss、Silan Microelectronics、Sino-Microelectronics、StarPower Semiconductor、 STMicroelectronics、Vishay Intertechnology、Wolfspeed、Yangjie Electronic Technology など

調査項目

II．個別品目編　共通項目
　1.市場定義
　2.中国市場規模推移
　3.中国市場メーカシェア
　4.中国アプリケーション別市場規模推移
　5.価格トレンド・今後の方向性

　※一部の品目で異なる場合がある

I. 総括編
　1.中国パワーデバイス市場の全体俯瞰　2
　2.中国市場におけるシェア動向
　　1）全体市場　3
　　2）トランジスタ市場　3
　　3）パワーモジュール市場　4
　　4）次世代パワーデバイス市場　4
　3.中国市場におけるアプリケーション動向
　　1）全体市場　5
　　2）トランジスタ市場　5
　　3）パワーモジュール市場　6
　　4）次世代パワーデバイス市場　6
　　5）主要アプリケーションとユーザーの採用意向　7
　4.次世代パワーデバイス関連市場の方向性
　　1）SiCパワーデバイス　9
　　2）SiCベアウェーハ　10
　　3）SiC用エピ膜成長装置　11
　　4）中国SiCパワーデバイスのサプライチェーン　12
　5.中国系デバイスメーカー展開動向　　　
　　1）中国系デバイスメーカー基本情報　13
　　2）中国系デバイスメーカー製品展開動向　17
　　3）中国系デバイスメーカーポジショニング　19
　6.アライアンス動向　20
　7.中国市場で求められるパッケージ動向　21

II. 個別品目編
　1.ダイオードディスクリート　23
　2.低耐圧パワーMOSFET　26
　3.高耐圧パワーMOSFET　29
　4.IGBTディスクリート　32
　5.IGBTモジュール　35
　6.IPM　38
　7.SiC-FETディスクリート　41
　8.SiCパワーモジュール　44
　9.GaNパワーデバイス　47
　10.SiCベアウェーハ　50
　11.SiCエピウェーハ　53
　12.SiC用エピ膜成長装置　56

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提供利用形態（料金）

商品形態	ネットワーク共有	価格（税込み）下段：本体価格	選択
CD-ROM版レポート本文(PDFファイル)をCD-ROMで提供します。		330,000円 300,000円
ネットワークパッケージ版（CD-ROM）レポート本文(PDFファイル)をCD-ROMで提供します。数表データのExcelファイルは含まれません。		495,000円 450,000円