1.0 総括　　1
　1.1 化合物半導体デバイス関連市場の動向　　3
　1.2 カテゴリー別市場規模推移・予測　　7
　1.3 化合物半導体市場動向　　14
　　1.3.1 LEDパッケージ市場動向　　14
　　1.3.2 LEDチップ市場動向　　16
　　1.3.3 MiniLED・MicroLED市場動向　　18
　　1.3.4 化合物光デバイス市場動向　　27
　　1.3.5 化合物RFデバイス市場動向　　34
　　1.3.6 化合物パワーデバイス市場動向　　38
　　1.3.7 可視光LDの採用動向(プロジェクター向けなど)　　43
　　1.3.8 基板動向　　45
　　1.3.9 メーカー地域別参入動向　　49
2.0 アプリケーション　　51
　2.1 自動車　　53
　2.2 車載ディスプレイ　　58
　2.3 データセンター　　62
　2.4 一般照明　　65
　2.5 モバイル機器　　69
　2.6 基地局　　72
3.0 化合物半導体　　77
　3.1 LEDパッケージ　　79
　　3.1.1 白色LEDパッケージ　　79
　　3.1.2 有色LEDパッケージ　　86
　　3.1.3 赤外光LEDパッケージ　　91
　　3.1.4 紫外光LEDパッケージ　　95
　3.2 LEDチップ　　99
　　3.2.1 GaN系LEDチップ　　99
　　3.2.2 GaAs・GaP系LEDチップ　　104
　　3.2.3 赤外光LEDチップ　　108
　　3.2.4 紫外光LEDチップ　　112
　3.3 MiniLED・MicroLED　　115
　　3.3.1 MiniLED　　115
　　3.3.2 MicroLED　　117
　3.4 LD　　119
　　3.4.1 VCSEL　　119
　　3.4.2 DFB・CW+SiPh・ITLA・IC-TROSA　　123
　　3.4.3 ファブリペロー(その他EEL、励起LDなど)　　127
　3.5 その他光デバイス　　131
　　3.5.1 化合物イメージセンサー(InGaAs、GeSi)　　131
　　3.5.2 化合物PD・APD　　133
　　3.5.3 フォトカプラ　　137
　3.6 RFデバイス　　141
　　3.6.1 GaAs RF　　141
　　3.6.2 GaN on Si RF　　144
　　3.6.3 GaN on SiC RF　　146
　　3.6.4 SiGe RF　　150
　　3.6.5 次世代RF(InP、ダイヤモンド)　　152
　3.7 パワーデバイス　　154
　　3.7.1 GaN on Siパワー　　154
　　3.7.2 SiCパワー　　158
　　3.7.3 次世代パワー(Ga2O3、GaN on GaN)　　165
4.0 関連部材・装置　　167
　4.1 基板　　169
　　4.1.1 サファイア基板　　169
　　4.1.2 GaAs基板　　173
　　4.1.3 GaN on GaN基板　　178
　　4.1.4 GaN on Si基板　　183
　　4.1.5 GaN on SiC基板　　187
　　4.1.6 InP基板　　191
　　4.1.7 SiC基板　　195
　　4.1.8 Ga2O3基板　　200
　　4.1.9 ダイヤモンド基板　　204
　4.2 その他部材・装置　　207
　　4.2.1 LED用シリコーン封止材　　207
　　4.2.2 LED用エポキシ封止材　　211
　　4.2.3 LED用熱可塑性リフレクター樹脂　　215
　　4.2.4 LED用熱硬化性リフレクター樹脂　　219
　　4.2.5 ダイボンド材　　222
　　4.2.6 有機金属　　226
　　4.2.7 セラミックパッケージ　　230
　　4.2.8 基板用スラリー　　234
　　4.2.9 基板用パッド　　239
　　4.2.10 ダイシング装置　　243